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  Microsemi 2N6782 N沟道MOSFET场效应晶体管 2025-05-08 09:04:36

  Microsemi 2N6782是一款N沟道MOSFET，具有100V漏源电压(Vds)和±20V栅源电压(Vgs)的耐压能力，在25°C时连续漏极电流达3.5A（100°C时为2.25A），最大功耗15W。其导通电阻低至0.6Ω（Vgs=10V时），工作温度范围-55°C至+150°C，具备100V漏源击穿电压和2-4V的栅极阈值电压。动态特性方面，栅极电荷8.1-40nC，开关延迟15-45ns，适用于高频开关场景。该器件特别适合电源管理、电机驱动及逆变器等需要高压大电流处理的电子系统，兼具高效能和快速响应特性。

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  SMPTE数字视频巴伦TA-0751003G 2024-01-16 08:45:25

  PulseR为了满足1.485Gbps至3Gbps的数据速率需求推出了全新系列的高速数字视频巴伦和隔离变压器。这些组件可以连接50Ω和75Ω的单端接口到100Ω和150Ω的差分电缆。这些器件采用完全封装设计，在-55?C至+125?C的扩展温度范围内可正常工作，并符合MIL-PRF-21038的环境认证要求。其铅表面处理采用锡/铅制成，符合RoHS标准。