IRF540NPBF单N沟道功率MOSFET

发布时间：2024-09-11 09:17:13 浏览：1151

　　IRF540NPBF是一款采用TO-220封装的单N沟道功率MOSFET，具有100V的电压额定值。以下是对该器件的详细介绍：

　　封装与基本参数

　　封装类型: TO-220

　　极性: N沟道

　　最大漏源电压 (VDS): 100V

　　最大漏极电流 (ID): 33A (@25°C)

　　最大功耗 (Ptot): 140W

　　最大结温 (Tj): 175°C

　　最大热阻 (RthJC): 1.1K/W

　　最大栅源电压 (VGS): 20V

　　栅源阈值电压 (VGS(th)): 3V (最小) 到 4V (最大)

　　关键特性

　　1. 平面单元结构: 具有宽安全工作区(SOA)，适合高电压和高电流应用。

　　2. 优化可用性: 针对分销合作伙伴提供最广泛的可用性进行了优化，便于采购。

　　3. 符合JEDEC标准: 产品认证符合行业标准，确保质量和可靠性。

　　4. 低频应用优化: 针对开关频率低于100kHz的应用进行了硅优化，适用于低频功率转换。

　　5. 高电流额定值: 能够处理高达33A的电流，适合高功率应用。

　　优势

　　1. 更高的耐用性: 宽SOA和平面单元结构提供了更高的耐用性和可靠性。

　　2. 广泛可用性: 通过分销合作伙伴，该器件具有广泛的可用性，便于采购。

　　3. 行业标准资质: 符合JEDEC标准，确保产品的质量和可靠性。

　　4. 低频高性能: 在低频应用中表现出色，适合各种功率转换应用。

　　5. 标准引脚布局: 标准引脚布局允许直接更换，便于设计集成。

　　6. 高电流能力: 能够处理高电流，适合高功率应用。

　　应用

　　直流电机驱动

　　逆变器

　　开关电源 (SMPS)

　　照明系统

　　负载开关

　　电池供电应用

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