Vishay SIS626DN-T1-GE3 N沟道25V MOSFET

发布时间：2024-05-16 09:31:15 浏览：809

　　Vishay Siliconix的SIS626DN-T1-GE3是一款N沟道25V MOSFET，它采用了TrenchFET技术，使得该MOSFET具有高效率和低导通电阻的特点。产品封装为PowerPAK1212-8，并且适用于多种应用，如适配器开关和负载开关，尤其是在高侧开关功能中表现优异。

　　产品特性方面，SIS626DN-T1-GE3在Vgs=10V时的漏源电压(VDs)为25V，具有较低的导通电阻(Rds(on))，其值在不同Vgs条件下有所不同，例如在Vgs=10V时为0.0115Ω。此外，该MOSFET的栅极电荷(Qg Typ.)为16.9*100% Rg，栅极电流限制能力(Typ.)为16.9 A/μs，这些参数体现了其优越的开关性能。

　　在绝对最大额定值方面，SIS626DN-T1-GE3在25°C下的连续漏极电流(ID)为15.1A，而在70°C下为11.7A。其脉冲漏极电流(IDM)可达32A，表明该MOSFET能够处理较高的瞬态电流。此外，它还具有良好的热性能，最大结到环境温度的热阻(RhJA)在典型和最大值下分别为28°C/W和34°C/W。

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25℃,unless otherwise noted)
PARAMETER			SYMBOL		LIMIT		UNIT
Drain-Source Voltage			VDs		25		V
Gate-Source Voltage			Vas		±12
Continuous Drain Current (Tj=150℃)	Tc=25℃		lp		169		A
	Tc=70℃				169
	TA=25℃				15.1 a,b
	TA=70*℃				11.7 a,b
Pulsed Drain Current (t =100 μs			DM		32
Continuous Source-Drain Diode Current	Tc=25 ℃		ls		169
	TA=25℃				3.1 a,b
Single Pulse Avalanche Current	L=0.1 mH		lAs		20
Single Pulse Avalanche Energy			EAS		20		mJ
Maximum Power Dissipation	Tc=25℃		PD		52		W
	Tc=70℃				33
	TA=25℃				3.7 a,b
	TA=70°℃				2.4 a,b
Operating Junction and Storage Temperature Range			T」,Tst		-55 to +150		℃
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c,d					260

THERMAL RESISTANCE RATINGS
PARAMETER		SYMBOL		TYPICAL		MAXIMUM	UNIT
Maximum Junction-to-Ambient a,e	t≤10 s	JA		28		34	C/W
Maximum Junction-to-Case (Drain)	Steady State	C		2		2.4

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