Solitron Devices SD11740超低导通电阻碳化硅MOSFET

发布时间：2024-02-05 12:06:18 浏览：798

　　Solitron Devices 推出的SD11740是1200V 碳化硅 (SiC)、低 RDS(on) MOSFET。

　　作为对高可靠性/军事应用的高压MOSFET的强大供应的补充，Solitron正在扩大其碳化硅产品供应，以满足要求苛刻的商业和工业应用。该SD11740采用 SOT-227 封装，提供 8.6mΩ 的超低 RDS(on)。

　　SOT-227 型封装的加入使 Solitron 的 SiC 产品能够在电动汽车、功率控制器、电机驱动、感应加热、固态断路器和高压电源中实现更高功率的应用。该SD11740提供 120A 的连续漏极电流。SOT-227 与铜散热器基座具有 3kV 隔离功能，可实现出色的低热阻。该器件提供真正的开尔文栅极连接，以实现最佳栅极控制。任一发射极端子均可用作主发射器或开尔文发射器。

　　该SD11740设计用作功率半导体开关，其性能优于硅基MOSFET和IGBT。标准栅极驱动特性允许真正直接替代硅IGBTS和MOSFET，具有更优越的性能。超低栅极电荷和出色的反向恢复特性使它们非常适合开关感性负载和任何需要标准栅极驱动的应用。

　　关键特性

　　I D = 100A

　　RDS(ON) = 8.6mΩ

　　低栅极电荷

　　开尔文源

　　SOT 227B

　　好处

　　无热失控的并联装置

　　更高的系统效率

　　出色的反向采收率

　　应用