Ampleon CLF24H4LS300P是300W的GaN-SiC HEMT(高电子迁移率晶体管)功率晶体管，优化了连续波(CW)功率和效率，适用于2400 MHz至2500 MHz频率范围内的烹饪、工业、科学和医疗应用。

　　特性和优势

　　高效率：在CW和CW脉冲条件下表现出色。

　　优秀的坚固性：在CW和CW脉冲条件下具有出色的坚固性。

　　宽带操作：设计用于2400 MHz至2500 MHz的宽带操作。

　　内部输入匹配：无需外部匹配网络。

　　符合RoHS合规性：产品符合限制有害物质使用的法规要求。

　　应用

　　RF功率放大器：适用于2400 MHz至2500 MHz频率范围内的连续波应用，如商业和消费烹饪、工业、科学和医疗应用。

　　性能参数

　　RF性能：在VDS = 50V，VGS = -5V，环境温度25°C的类AB/类C应用电路中测试。

　　连续波(CW)：在2400至2500 MHz频率下，输出功率为320W，增益为14dB，效率为74%。

　　CW脉冲：在2400至2500 MHz频率下，输出功率为350W，增益为14dB，效率为75%。

　　封装：SOT1214B：无耳法兰陶瓷封装，4引脚。

　　限制值

　　VDD：源极电压操作，52V。

　　VDS：漏极-源极电压，150V。

　　VGS：栅极-源极电压，-15V至+2V。

　　IGF：正向栅极电流，43.2 mA。

　　Tstg：存储温度，-65°C至+150°C。

　　Tch：活动芯片通道温度，225°C。

　　热特性

　　Rth(s-c)(IR)：红外测量的从活性芯片表面到外壳的热阻，0.40 K/W。

　　Rth(ch-c)(FEA)：有限元分析的从活性芯片通道到外壳的热阻，0.58 K/W。

　　电气特性

　　VGS(th)：栅极-源极阈值电压，-3.12V至-2.32V。

　　VGSq：栅极-源极静态电压，-3V至-2.2V。

　　ID(leak)：漏极漏电流，7.55 mA。

　　IGSS：栅极漏电流，1.51 mA。

　　IDSX：漏极截止电流，22.4 A。

　　RF特性

　　Gp：功率增益15 dB。

　　RLin：输入回波损耗-10 dB。

　　ηD：漏极效率70%。

　　测试应用信息

　　测试电路：使用Rogers TC350 PCB，介电常数3.5，厚度0.508 mm，铜镀层35 μm。

Ampleon是一家全球领先的射频和功率半导体解决方案提供商，提供包括射频功率放大器、收发器、射频开关、驱动电路和功率控制器等在内的广泛产品线，适用于4G LTE、5G NR基础设施、广播、工业等多个领域，深圳市利来国国际网站创展科技有限公司优势分销Ampleon产品线，欢迎咨询了解。