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  Linear Systems 3N190/3N191单片双晶P沟道增强型MOSFET 2024-06-05 08:59:39

  3N190/3N191系列是双P沟道增强型MOSFET，适用于非隔离POL电源和低压驱动器应用。它们具有高开关频率、高输入阻抗、高栅极击穿电压、低电容，适合高速负载切换和模拟信号放大。与BJT相比，这些MOSFET在处理大电流时产生的热量更少，有助于提高能效。它们适用于交换应用、放大电路、斩波电路等多种场合，并可作为Intersil产品的替代品。

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  HFBM075100S高频巴伦适配器：高速通信与极端环境应用 2024-12-31 08:36:43

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