SD11721 1200V SiC N沟道功率MOSFET

发布时间：2024-07-03 09:18:47     浏览：964

SD11721 1200V SiC N沟道功率MOSFET

　　Solitron Devices SD11721 1200V SiC N沟道功率MOSFET的主要特点和技术规格如下：

　　高阻断电压与低通态电阻：该MOSFET具有高达1200V的阻断电压(Vs = 1200V)，并且具有低通态电阻(Ros(on) = 50 mΩ)，这意味着在开关状态切换时能够减小功耗，提高效率。

　　高速开关与低电容：SD11721适合高速开关应用，并且具有低电容特性，这有助于减少开关过程中的能量损失。

　　高操作结温能力：该MOSFET能够在高温环境下工作，其操作结温范围达到-55℃至+175℃。

　　快速而健壮的内置体二极管：这是该MOSFET的一个重要特点，能够快速且有效地处理反向电流。

　　优化的塑料封装：采用TO-247-4塑料封装，具有优化的封装设计和分离的驱动源引脚(4-G)，以及8mm的漏极和源极之间的爬电距离(creepage distance)，确保了在高温和高湿等恶劣环境下的稳定性和可靠性。

　　应用广泛：SD11721适用于多种应用，包括太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、高压DC/DC转换器以及开关模式电源等。

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