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  SiC MOSFET与Si IGBT对比：SiC MOSFET的优势 2023-12-14 09:45:07

  随着自动化制造、电动汽车、先进建筑系统和智能家电等行业的发展，对提高这些机电设备的控制、效率和功能的需求也在增长。本文探讨了碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)的突破如何重新定义了历来使用硅IGBT(Si IGBT)进行功率逆变的电动机的能力。这项创新扩展了几乎每个行业的电机驱动应用的能力。

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  Ampleon C5H3438N110D功率GaN晶体管3.3-5.0GHz 2024-11-07 09:03:57

  Ampleon C5H3438N110D是一款110W GaN Doherty射频功率晶体管，专为3400 MHz至3800 MHz频率范围内的基站应用设计。其特点包括紧凑的8 mm x 8 mm QFN封装、5G mMIMO优化、高效率Doherty配置、宽带操作、内部匹配设计以及优秀的数字预失真能力。适用于多载波应用，提供高带宽和高数据速率，技术参数包括110W名义输出功率、48V漏源电压、13.6至15 dB功率增益和55%至62%的漏极效率。