Solitron 2N5114/2N5115/2N5116 P沟道JFET
发布时间:2024-05-21 09:31:52 浏览:1578
2N5114/2N5115/2N5116是P沟道JFET晶体管,在应用中具有以下特点和规格:
- 封装:T0-18
- 最大反向栅极源极电压(Vgss):30V
- 最大栅极电流(Igs):-90mA(2N5114)、-60mA(2N5115)、-25mA(2N5116)
- 漏源电阻(RDS(on)):75Ω(2N5114)、100Ω(2N5115)、175Ω(2N5116)
- 符合JAN/JANTX/JANTXV标准
- 符合MIL-PRF-19500/476F标准
- 低导通电阻
- 可直接从TTL逻辑或CMOS切换
- 高关断隔离
- 提供S级等效筛选选项
- 重量轻
- MicroSemi的第二来源
规格参数:
Part Number Package 19500/ Breakdown Voltage Current R 150N | |||||||||
2N5114 | TO-18 | 476 | 30V | -90mA | 75Ω | ||||
2N5115 | TO-18 | 476 | 30V | -60mA | 1002 | ||||
2N5116 | TO-18 | 476 | 30V | 25mA | 175g | ||||
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS | |||||||||
Gate-Source Voltage | 30V | Storage Temperature | 65 to 200℃ | ||||||
Gate Current | 50mA | Operating Junction Temperature | -65 to 200℃ | ||||||
Lead Temperature 1/16 from case,10 sec | 300℃ | Power Dissipation Derating | 500mM 3mW°C@T=25℃ |
订购信息:
JAN2N5115 | JANTX2N5115 | JANTXV2N5115 | ||||||
JAN2N5116 | JANTX2N5116 | JANTXV2N5116 |
这些晶体管适用于需要反相开关或“虚拟接地”开关进入运算放大器的反相输入的场合,可处理±10VAC信号,无需驱动器,仅需+5V逻辑(TTL或CMOS)。在工作时请注意绝对最大额定值,如栅极-源极电压、存储温度、栅极电流、工作结温、引线温度、功耗。
推荐资讯
Ampleon公司的CLL3H0914L-700和CLL3H0914LS-700是700W内部预匹配的RF GaN-SiC HEMT功率晶体管,适用于0.9 GHz至1.4 GHz频率范围,具有出色的效率、热阻和坚固性,适用于航空电子应用;关键特性包括不同频率下的输出功率、功率增益、漏极效率、输入回波损耗等参数,还涉及热阻、漏源电压等多项指标,储存温度为-65℃ ~+150℃,且能承受特定条件下的额定负载功率。
Arizona Capacitors的60J15103聚酯/纸介电容器,额定电压为15000V,电容值范围从0.0005到0.500uf,提供±2%至20%的容差选项,工作温度范围为-55°C至85°C,绝缘电阻为25至50k ΩF,损耗因子在1,000Hz时为0.6%,测试电压为额定电压的150%,适用于高压电路。
在线留言