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  Microsemi 2N6782 N沟道MOSFET场效应晶体管 2025-05-08 09:04:36

  Microsemi 2N6782是一款N沟道MOSFET，具有100V漏源电压(Vds)和±20V栅源电压(Vgs)的耐压能力，在25°C时连续漏极电流达3.5A（100°C时为2.25A），最大功耗15W。其导通电阻低至0.6Ω（Vgs=10V时），工作温度范围-55°C至+150°C，具备100V漏源击穿电压和2-4V的栅极阈值电压。动态特性方面，栅极电荷8.1-40nC，开关延迟15-45ns，适用于高频开关场景。该器件特别适合电源管理、电机驱动及逆变器等需要高压大电流处理的电子系统，兼具高效能和快速响应特性。

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  APXK004A0X-SRZ非隔离式DCDC电源模块ABB(OmniOn power) 2024-03-21 11:34:01

  OmniOn power ?APXK004A0X-SRZ 16V PicoTLynxTM 4A电源模块是一款非隔离型dc-dc转换器，具备高达4A的输出电流能力。该模块适应宽输入电压范围(8Vdc-16Vdc)，并可通过外部电阻精确调节输出电压，从0.59Vdc至8.0Vdc。模块功能丰富，包括远程开关控制、输出电压可调、过电流和过温保护等特性。尤为值得一提的是，其可调谐回路TM功能，使用户能够优化转换器的动态响应，适应不同负载需求，减少输出电容，进而实现成本和PWB面积的节省。