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  IR HiRel GaN HEMT –氮化镓晶体管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容，非常适合于高速开关。IR-HiRel不仅节省了功率，降低了系统的整体成本，而且允许更高的工作频率，提高了功率密度和系统的整体效率。

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  DEI线路接收器DEI1148 2022-09-20 16:53:17

  DEI?的DEI1148是个BiCMOS机械设备，包括八路差分线路接收器。每个接收通道将输入ARINC429数据总线信号(三电平RZ双极差分调制)转换成一对TTL/CMOS逻辑输出。每个通道单独运作，满足ARINC429数字数据通信标准的需求。