Renesas RE Cortex-M 超低功耗SOTB MCU

发布时间：2021-03-03 17:17:18     浏览：1990

Renesas RE Cortex-M超低功耗SOTBMCU使用ARM Cortex M核，该核心基于世界上最高的基于硅薄氧化物埋层(SOTB)工业技术的超低功耗MCU。在EEMBC ULPMark基准中，ULPMark-CP评分非常高，达到705。

Renesas RE Cortex-M超低功耗SOTB MCU基于RE系列硅薄氧化物埋层(SOTB)技术，实现了待机模式和低压(1.62V)高速CPU工作(64 MHz)下的超低电流消耗，但传统的主硅工艺不能做到这一点。RE01已通过EEMBC认证，在EEMBC ULPMark基准中，ULPMark-CP评分非常高，达到705分。EEMBC ULPMark标准为比较超低功耗单片机的能量效率提供了一种标准方法。此外，在内置的能量采集控制电路的帮助下，该设备可以使用能量采集电源在环境能量很弱的情况下工作。

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Renesas RE Cortex-M 超低功耗SOTBMCU可显著延长电池寿命，并可提供高性能的小型电池和能源获取电源。RE系列产品适用于多种物联网应用，如混合电子表、智能家居/建筑、保健、智能建筑、结构监测、跟踪器等。

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